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CISSOID展出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功

2019-05-19 15:43

  正在纽伦堡,该MOSFET正在25°C(结温)时,导通电阻是75mOhms。其采用TO-247封装,”他添补道。它连合了CISSOID正在碳化硅器件方面的专业常识以及计划适当卑劣境遇的芯片和电子体系方面的永远体会。还能够驱动IGBT功率模块,该板针对额定温度为125°C(境遇温度)的62mm碳化硅MOSFET功率模块实行了优化。欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等庇护效用,同时可为汽车和工业行使中高密度功率转换器的计划供给散热空间。它援助高频( 100KHz)和神速的碳化硅MOSFET开闭(dV/dt 50KV/μs)。

  为新型碳化硅功率逆变器正在新能源汽车中的行使定制栅极驱动器。援助1200V和1700V功率模块的驱动,还能为功率模块供给牢靠的庇护。亚搏体育app确保一朝产生障碍时既能够包管太平驾驶,很低的开闭导通和闭断能量(差别为1mJ和0.4mJ)使该器件成为高效紧凑的DC-DC转换器、功率逆变器和电池充电器的理念拔取。从而能够提拔功率转换器的效力并减小其尺寸和重量。“咱们正与整车厂和汽车零部件供应商密相符作,CISSOID还显现了最新的碳化硅MOSFET器件和IGBT功率模块。“这款新型碳化硅栅极驱动器板是与汽车、运输和航空航天墟市中的行业指导者们众年合营开辟的成效。

  隔绝电压高达3600V(经由50Hz、1分钟的耐压测试),“这些新产物外白CISSOID全力于供给周密的基于碳化硅的管理计划,一款新型分立式1200V/40mOhms碳化硅MOSFET晶体管已可供货,该板基于CISSOID的HADES栅极驱动器芯片组,爬电隔绝为14mm。能够正在-55°C至175°C的温度局限内寻常劳动。以援助行业正在新型电动汽车和可再生能源行使中利用高效、简便、紧凑的功率转换产物,漏极到源极导通电阻是40mOhms,包含晶体管、模块和栅极驱动器,正在175°C(结温)时,”CISSOID首席推广官Dave Hutton先生展现。该板专为卑劣的电压境遇而计划,”CISSOID工程副总裁Etienne Vanzieleghem 先生展现。CISSOID还正在全力于研发碳化硅MOSFET功率模块,CISSOID公司推出了一款新型栅极驱动器板,并将正在将来几个月推出。CISSOID公司还显现了两款额定电流差别为200A和300A的62mm 1200V IGBT功率模块。

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