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混杂碳化硅功率模块处事频率是众少

2019-09-08 20:38

  于是是高功率,亚搏体育app而导通阻抗很低。于是他的耐压高,高温器件首选。而不需求用IGBT,SIC大功率器件正在半导体方面苛重有SIC二极管,SIC质料因为有是高带隙质料,于是频率能够做得很高。目前苛重限制使用的地方即是临蓐工艺不行熟,因为是众子导通器件没有电流托尾征象,

  正在开合的经过中险些没有开合损耗,高频率,高电压,价值高。SIC MOSFET 和带SIC二极管的IGBT。单体很容易能做到1700V,个中SIC MOSFET的苛重特色是耐压高?

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